（2026.10.14，新加坡）中国存储晶片制造商长鑫存储（CXMT）称，已取得三星电子等竞争对手多年来力求实现的技术突破。这一说法尚未获证实，但已引发全球晶片股大幅抛售。
据彭博社报道，长鑫存储总裁曹堪宇上周末在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上说，公司计划在今年底前推出一款面向数据中心服务器的新型晶片，采用4F²设计，以提升单个组件的性能。公司发言人确认了他的上述表述。曹堪宇未披露更多技术细节。
4F²是目前DRAM行业衡量存储单元面积的核心指标。业界现行主流为6F²架构，其中F代表晶片特征尺寸，6F²即特征尺寸平方的六倍。4F²意味着每个存储单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，理论上可在更小面积内容纳相同数量的存储单元，提高存储密度和效率。
如果长鑫存储确实跨越4F²技术门槛，就意味着它在美国制裁限制其获取阿斯麦（ASML）最先进设备的情况下，仍抢先三星电子和SK海力士实现这一突破。
曹堪宇表示，长鑫的4F²架构核心是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的“垂直环绕栅极”（Vertical Surrounding Gate）技术。该技术通过改变晶体管的布局方式，预计能减少漏电和其他副作用，这些问题长期困扰着试图将存储单元面积缩小至6F²以下的主要竞争对手。据他介绍，长鑫自成立以来便启动了4F²的研究和专利布局，目前在该领域的专利数量超过竞争对手。
曹堪宇还透露，长鑫突破的关键在于将存储单元制造与外围电路制造分离。此前，制造商将这两个组件建在同一片硅片上；长鑫的新技术将两部分分别制造在单独的晶圆上，再通过混合键合技术结合。
这一消息迅速引发全球存储晶片股的连锁反应。10月13日，SK海力士股价在韩国暴跌10%，三星电子下跌7.4%，拖累韩国综合股价指数（KOSPI）走低。此前，美光科技隔夜收跌约4%。
晨星分析师Jing Jie Yu指出，如果长鑫能够成功且提前将4F²架构应用于DRAM生产，将大幅提升其相对于竞争对手的竞争地位。但他同时表示，存储行业龙头以及设备制造商此前都强调过这一技术转型的难度，因此从长鑫发布4F²产品到实现具有商业价值的良率量产之间，预计仍存在较长时间差。
长鑫存储今年夏季在备受瞩目的首次公开募股后，一度成为中国市值最高的公司。此次宣布技术突破，凸显公司正努力缩小与外国竞争对手在晶片制造领域的差距，而这一领域对人工智能发展至关重要。
彭博社报道指出，长鑫的突破不会立即威胁三星、SK海力士和美光在高带宽内存（HBM）领域的主导地位，这类半导体对英伟达AI加速器至关重要。但它显示出长鑫正在更广泛的存储领域逐步缩小技术差距。长鑫已接近量产最新一代智能手机存储晶片LPDDR6，时间表与三星和SK海力士大致相当。
Counterpoint Research数据显示，长鑫在全球DRAM市场的份额已从一年前的4%扩大至今年第二季度的10%。该机构高级分析师Jeongku Choi表示：“如果长鑫在2026年底前使用4F²架构制造产品，将是一个重要里程碑。但稳定量产良率和确保商业供应规模将是关键。”他补充说，这可能“成为展示中国半导体生态系统自给自足程度和技术水平提升的良好范例”。
